第三季 DRAM 产值再创新高,然原厂获利能力恐已触顶

根据 TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2018 年第三季 DRAM 整体产业营收较上季成长 9%,再创历史新高。观察各产品别的报价走势,除了绘图用记忆体(graphic DRAM)
受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响,出现 3% 左右的跌幅,以及消费性市场应用主流 DDR3 因需求转弱而率先走跌外,其余主流应用别的记忆体(包含标準型、伺服器、行动式记忆体)仍维持 0-2% 的季涨幅。

DRAMeXchange 指出,有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动,由于 DRAM 产能已在下半年陆续开出,第三季价格涨幅基本已接近持平,因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季,10 月份的 DRAM 合约价已经正式走跌,除了宣告 DRAM 价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、通路端、採购端库存尚未去化完全前,2019 年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察,DRAMeXchange 指出,在产业迈向反转之际,小厂受到的冲击较龙头厂来的即时且剧烈,因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量,位元出货成长显着,儘管平均销售单价未有明显变化,但营收仍较上季成长 13.6%,来到 127.3 亿美元的新高,在三大厂中表现最为亮眼。而 SK 海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬 1% 的挹注下,营收季增 6.0% 至 81.5 亿美元。两大韩厂营收市占分别为 45.5% 与 29.1%,合计约 74.6%。

美光集团依旧维持第三,虽然销售单价约略持平,但位元出货提升仍带动营收来到 59.2 亿美元,较前一季成长 6.8%,市占率则约略持平在 21.1%。

观察原厂获利能力,即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛,然各厂仍持续靠着转进先进製程优化成本结构,使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的 1Ynm 在第三季开始出货,因新一代製程在量产初期通常良率较低,拖累部分获利表现,导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小,由前一季的 69% 微幅上升至 70%,但仍创下历史新高,亦显示生产 DRAM 的毛利已突破 8 成水位。

至于 SK 海力士,本季 1Xnm 的良率显着提升,带动营业利益率从 63% 成长至 66%,表现最为亮眼。美光受惠 1Xnm 的比重持续提升,拉抬营业利益率从 60% 升至 62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录,但在第四季 DRAM 价格已正式反转向下且跌幅显着的情况下,成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击,因此原厂获利的高点恐已结束。

由技术面观察,三星今年除了维持 1Xnm 製程高产出比重外,部分 Line 17 增加的投片以及平泽厂 2 楼的 DRAM 产能,将往下一代 1Ynm 製程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出,1X+1Ynm 产出比重在年底合计将达 70%,并于 2019 年持续提升 1Ynm 占比。SK 海力士经过两季的调整与改良,1Xnm 良率在第三季显着提升,而中国无锡的第二座 12 吋厂仍照进度将于年底前完工,并于 2019 上半年开始贡献产出,但受到中美贸易战的影响,无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面,台湾美光记忆体(原瑞晶)已全数以 1Xnm 生产,下一步将直接转往 1Znm,但实际贡献将落在 2020 年;台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行 20nm 往 1Xnm 的转换,年底前将开始转往 1Ynm,并于明年逐步提升比重。

台系厂商部分,南亚科第三季出货量小幅下滑,使营收表现较前一季衰退 3.7%。不过在 20nm 的成本效益带动下,营业利益率仍旧由上一季的 46.8% 大幅提升至 51.0%。然而,受到 DRAM 报价反转向下影响,加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提,获利能力要再攀升恐有一定压力。

力晶科技方面,由于第三季转移较多产能至获利较好的 SLC NAND 与非 DRAM 代工产品,因此本身 DRAM 营收较上季下滑 13.3%;华邦 DRAM 营收则约略持平,出货量和平均销售单价皆呈现稳定。

第三季 DRAM 产值再创新高,然原厂获利能力恐已触顶
您也可能喜歡這些文章